招商证券：供需改善下NAND价格拐点趋近 高端存储和端侧创新带来增量需求

　　招商证券发布研报称，存储行业不同细分领域表现明显分化，高端存储器价格表现较好，消费类产品价格跌至周期底部；但伴随HBM等高端存储器需求持续旺盛，叠加减产效应下整体供需格局明显改善，部分NAND产品价格拐点显现，存储模组等厂商盈利能力亦有望得到修复。2025年国内存储行业将持续围绕消费类产品边际复苏+高端产品国产替代+端侧产品创新加速三大主线，建议重点关注国内存储模组、利基存储芯片及配套供应链公司机遇。

　　三星将在下一代V10NAND产品上和长存合作，侧面印证了国产存储IDM技术实力。同时，在美国出口管制加剧的背景下，国内存储厂商，以及HBM等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。

　　AI端侧产品逐步落地，存储模组+利基芯片持续扩容

　　根据SK海力士指引，2025年AI手机和PC渗透率将分别增长至约30%和30-40%；在前期2025年CES大会上，多款AI+AR眼镜产品亮相。近期Deepseek等大模型推出，通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本，显著降低算力需求，使复杂模型在边缘设备上运行成为可能，将进一步加速搭载AI大模型的端侧产品落地。AIPC、手机、可穿戴产品存储模组和利基存储芯片扩容趋势明确，例如AI手机平均DRAM容量从8GB增至12-16GB、AIPC平均DRAM容量从12GB增至16-64GB、AI耳机NOR容量从64-128Mb增至256Mb。

　　存算一体打破存储“双墙”限制，算力下沉需求加速存储创新

　　传统服务器计算芯片与存储器采用并行架构，CPU在处理来自片外DRAM数据时，常用数据会被存储在缓存中，一方面，CPU和主内存之间有限带宽会限制数据交换速度，从而形成“存储墙”；另一方面，数据搬运能耗极高，形成“功耗墙”。存算一体方案应运而生，可通过采用2.5D/3D互联等近存计算或者采用HBM、新型存储器等存内计算的方式，突破存储“双墙”限制。

　　另外，算力逐步从云端下沉至边缘端，边缘设备除了提出算力需求，还对灵活性、成本、功耗等提出要求，将进一步加速存算一体方案创新，以华邦电CUBE为代表的定制化存储+堆叠封装方案可用于多种边缘设备，能够在小容量同时实现高带宽。

　　2025年国内存储市场将围绕周期边际复苏+高端存储国产替代+端侧存储扩容及创新三大主线)受益于消费类存储边际复苏的存储模组和利基存储芯片厂商；2)受益于国产高端存储器领域的持续突破、以及HBM配套设备/材料国产替代趋势的标的；2)受益于AI端侧存储扩容和潜在受益于存算一体等创新加速的标的。

　　下游需求不及预期、行业竞争加剧、宏观经济形势变化、存储国产替代不及预期、长江存储等受美国出口管制加剧的风险。