国开证券：传统终端需求放缓 HBM成新驱动

　　国开证券发布研报称，随着AI模型参数规模不断增大、HPC算力需求攀升，以及GPU/ASIC加速器在带宽和能耗比上的要求越来越高，HBM、DDR5需求将快速增长，并在带宽、堆叠层数、容量和能效方面持续升级，以支撑高性能应用；叠加终端新一轮创新周期的开启、芯片国产化进程提速等因素，存储市场向上空间将进一步打开，芯片产业链设备、先进封装等环节亦将迎来持续成长。

　　国开证券主要观点如下：

　　受传统终端需求影响DRAM和NAND价格再度走低

　　受下游库存高企及需求疲软的影响，23年上半年存储产品经历了量价持续下跌，而后随着存储厂商主动减产及终端复苏，下游库存水位逐渐回归正常，23年9月DRAM价格开始回升，后续期间小幅波动，直至24年7月再度走低，截至24年12月31日，通用PCDRAM产品现货平均价较7月高点下跌20.44%；通用NAND产品23年10月-24年3月连续上涨，后续期间价格基本稳定，直至9月重回跌势，截至24年11月底，128Gb16Gx8MLC合约价较8月高点下降56%。

　　AI及HPC等驱动下HBM需求快速增长

　　受益于AI驱动下HBM、DDR5等需求拉动，2024年前三季度全球存储市场整体呈现增长，据CFM闪存市场数据，2024年前三季度全球存储市场同比增幅达96.8%。存储芯片龙头海力士、三星和美光在HBM市场形成垄断格局；同时HBM3e平均售价约为传统DRAM产品的3-5倍，随着英伟达H系列、B系列等算力芯片的迭代升级，HBM3e产能亦将持续扩张。

　　我国为全球最大DRAM市场近期DDR5迎来突破

　　23年我国存储市场规模逆势增长9.3%，明显好于同期全球-29.1%的增速，且是全球最大的DRAM市场，比重达1/3。24年12月，国产内存制造商金百达与光威相继推出基于国产颗粒的DDR5内存产品，标志着国产存储的又一突破。DDR5传输速率、带宽、能效等方面较DDR4有显著提升，能更好地支持AI模型高效运行，AI手机、PC等终端应用加速渗透进程将催化DDR5需求快速增长，随着产品良率和产能的提升，国产DDR5市场份额有望增长。

　　投资建议：给予行业“中性”评级

　　一方面从需求来看，尽管24年以来AI和高性能计算驱动下HBM需求快速增长，但当前渗透占比仍为个位数，主要需求仍集中在消费电子、汽车、工控等传统终端领域，而这些领域的需求复苏总体来说不及预期；另一方面供给端增长较快，导致了存储行业周期性波动，预计厂商为应对市场调整，或再度面临减产压力。