申万宏源：美光四季报及下季指引超预期 CY25存储

　　申万宏源发布研报称，美光FY24Q4业绩及下季指引均超预期，指引2025年HBM市场规模超250亿美元，明年初增产HBM3E12H。FY24数据中心收入占比创纪录，预计在FY25显著增长。CY24服务器出货量中高个位数百分比增长，其中AI服务器强劲增长、传统服务器低个位数百分比增长。预计FY25HBM、大容量DDR5和LPDDR5、数据中心SSD分别均将带来数十亿美元收入。展望CY25存储供需格局良好，新增资本开支用于HBM和新建晶圆厂。

　　业绩指引：美光FY2024HBM收入达到数亿美元;维持FY2025HBM收入数十亿美元指引。产品进度：美光HBM3E12H36GB相比竞争对手的HBM3E8H24GB容量解决方案，产品功耗降低20%且容量高50%。美光计划CY2025年初提高HBM3E12H产量，在全年增加12H产品占比。

　　数据中心DRAM和NAND收入创单季新高。1)数据中心：FY24收入占比创纪录，预计在FY25显著增长。CY24服务器出货量中高个位数百分比增长，其中AI服务器强劲增长、传统服务器低个位数百分比增长。预计FY25HBM、大容量DDR5和LPDDR5、数据中心SSD分别均将带来数十亿美元收入。2)PC：出货量预计在CY24H2季节性增长，PC OEM的库存预计在CY25春季健康化。CY24PC出货量低个位数百分比增长，CY25持续增长。换机驱动因素包括AIPC和Win10终止支持及Win12系统换代。3)手机：库存动态类似PC。CY24手机出货量预计增长中低个位数百分比，预计CY25持续增长。安卓OEM已发布DRAM容量为12-16GB的AI手机，相比去年的8GB旗舰手机有所提升。4)汽车：信息娱乐系统和ADAS驱动车端存储容量增加，公司预计FY25H2汽车业务恢复增长。

　　展望CY25存储供需格局良好，新增资本开支用于HBM和新建晶圆厂。需求展望：上调CY24DRAM位元需求量指引至增长高十位数百分比;维持NAND位元需求量指引增长中十位数百分比不变。预计CY25DRAM和NAND的位元需求量增长十位数百分比。供给展望：CY24DRAM和NAND产能均低于CY22年峰值水平。预计CY25DRAM和NAND供需格局良好。资本支出：FY24资本支出81亿美元。指引FY25资本支出显著增加至收入的约35%，主要用于HBM和新建晶圆厂建设。

　　本周美股指数小幅上涨，费城半导体指数大涨4.3%。本周美光、英特尔、AMD、英伟达分别上涨18.3%、9.5%、5.4%、4.7%。云厂股价较为平稳，META涨1.1%、谷歌涨0.2%、微软跌1.7%、亚马逊跌1.9%。